1. Classification :
Selon le degré de contrôle des dispositifs électroniques de puissance qui peuvent être commandés par des signaux de circuit :
1. dispositifs semi-contrôlés, tels que le thyristor ;
2. dispositifs entièrement contrôlés, tels que le GTO (thyristor à commande par porte), le GTR (transistor de puissance), le MOSFET (transistor à effet de champ), l'IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) ;
3. dispositifs incontrôlables, tels que les diodes électriques ;
Selon la nature du signal entre le circuit de commande et l'extrémité commune du dispositif électronique de puissance, le circuit de commande est classé.
1. dispositifs pilotés par la tension, tels que l'IGBT, le MOSFET, le SITH (thyristor à induction électrostatique) ;
2. dispositifs pilotés par le courant, tels que les thyristors, les GTO et les GTR.
Selon la forme d'onde du signal effectif entre le circuit de commande plus la borne de contrôle et l'extrémité commune du dispositif électronique de puissance, la classification est la suivante :
1. touches à impulsions, telles que le thyristor, le GTO ;
2. types de commande électronique, tels que GTR, MOSFET, IGBT ;
Selon les deux types de porteurs dans les dispositifs électroniques de puissance, ils sont classés comme suit :
1. dispositifs bipolaires, tels que les diodes de puissance, les thyristors, les GTO et les GTR.
2. dispositifs à monoport, tels que le MOSFET, le SIT ;
3. dispositifs composites, tels que le MCT (thyristor contrôlé par MOS) et l'IGBT ;
Deux, avantages et inconvénients
1. Diode de puissance : structure et principe simples, fonctionnement fiable ;
2. Thyristor : la capacité de résister à la tension et au courant est la plus élevée parmi tous les dispositifs ; on trouve des types courants (KP), rapides (KK), bidirectionnels (KS), à haute fréquence (KA\KG), etc.
3. IGBT : vitesse de commutation élevée, pertes de commutation faibles, capacité à supporter les impacts de courant d'impulsion, faible chute de tension en état passant, impédance d'entrée élevée, commande par tension, faible puissance de commande ; inconvénient : la vitesse de commutation est inférieure à celle du MOSFET, la capacité en tension et en courant est moindre que celle du GTO.
4. GTR : haute pression, fort courant, bonnes caractéristiques de commutation, forte capacité de flux, faible pression de saturation ; inconvénients : faible vitesse de commutation, nécessité d'une commande en courant, puissance de pilotage élevée, circuit de commande complexe, deux problèmes de claquage.
5. GTO : haute tension et capacité de courant, adapté aux situations de forte puissance, avec effet de modulation de la conductance ; sa capacité de flux est très élevée. Inconvénients : le gain de coupure du courant est très faible, le courant d'impulsion négatif nécessaire pour désactiver la gâchette est important, la vitesse de commutation est basse, la puissance de commande est élevée, le circuit de commande est complexe, et la fréquence de commutation est faible.
6. MOSFET : vitesse de commutation rapide, impédance d'entrée élevée, bonne stabilité thermique, faible puissance de commande et circuit de commande simple, fréquence de fonctionnement élevée, aucun problème de double claquage ; inconvénients : faible capacité de courant, faible résistance à la pression, généralement adapté uniquement aux installations électroniques de puissance ne dépassant pas 10 kW.
7. Empilement de silicium à haute tension : composé de plusieurs diodes redresseuses à haute tension (particules de silicium) connectées en série, essentiel pour convertir le courant alternatif en courant continu dans la redressement à haute tension.