Quelles sont les raisons de la défaillance du SCR ?

Heure de sortie :

2022-02-08 15:31

1. Défaillance par surtension : la défaillance due à une surtension est l'une des principales causes de la défaillance contrôlée par silicium. La capacité du SCR à supporter une surtension est quasi nulle. Même en quelques millisecondes, la surtension pénétrera le dispositif. Par conséquent, dans le circuit d'application réel, il est impératif d'installer une boucle d'absorption RC aux deux extrémités du SCR afin d'éviter toute irrégularité. Cette surtension instantanée peut être provoquée par une impulsion parasite. Si la défaillance du thyristor se produit fréquemment, vérifiez si les composants du circuit d'absorption ne sont pas brûlés ou défectueux.
2. Défaillance par surintensité et par surchauffe : en fait, la défaillance par surintensité est identique à la défaillance par surchauffe. La défaillance par surintensité est due à l'effet thermique du courant dans la puce de silicium contrôlée par silicium, ce qui entraîne une élévation de la température de la puce. Lorsque la température de la puce atteint 125 °C, celle-ci tombe en panne et ne peut plus être réparée. Dans des conditions normales de fonctionnement, cette défaillance thermique ne se produira pas tant que le courant de fonctionnement ne dépasse pas le courant nominal du thyristor, car le principe de la défaillance par surintensité résulte précisément de l'augmentation de température, et le processus d'élévation de température nécessite un certain temps ; ainsi, en une courte période (de quelques centaines de millisecondes à plusieurs secondes), elle ne se produit généralement pas et n'entraînera donc pas une usure prématurée.
3. Défaillance par surchauffe : la défaillance par surchauffe décrite ici fait référence à la défaillance thermique qui se produit lorsque le courant de fonctionnement ne dépasse pas le courant nominal du thyristor contrôlé au silicium. La principale cause de cette défaillance est un mauvais fonctionnement du dispositif auxiliaire de dissipation thermique du thyristor contrôlé au silicium, ce qui entraîne une défaillance due à une température élevée dans la puce du thyristor contrôlé au silicium.

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Diode redresseuse / Module / Puce / Ensemble de semi-conducteurs de puissance / Éléments / Thyristor

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